Pletronics是一家以服務(wù)為導(dǎo)向、垂直整合的高混合頻率控制和RF產(chǎn)品解決方案供應(yīng)商。我們投資了石英晶振晶體技術(shù)，為需要頻率控制設(shè)備的客戶提供最新的大批量產(chǎn)品。我們成立了合資企業(yè)和子公司，以提供最高頻率、最高質(zhì)量的零件。Pletronics，Inc .致力于通過提高產(chǎn)量、降低成本、提高客戶滿意度以及滿足員工對(duì)培訓(xùn)、安全和士氣的期望來不斷提高質(zhì)量。
1，介紹

基于石英的器件，主要是體聲波（BAW）器件，長(zhǎng)期以來一直是比較所有商用時(shí)鐘源的標(biāo)準(zhǔn)。石英晶體作為用于頻率控制的非常穩(wěn)定、高質(zhì)量諧振器的歷史已被充分記錄并得到普遍認(rèn)可。基于石英的頻率控制設(shè)備的頻率與溫度響應(yīng)、老化、抖動(dòng)和相位噪聲特性在行業(yè)中都有很好的記錄。然而，一直缺乏這種特性與利用新技術(shù)的頻率控制裝置的簡(jiǎn)明技術(shù)比較。為了在MEMS和其他器件與已建立的石英基器件之間建立一個(gè)基準(zhǔn)，該分析的作者于2007年開始了一項(xiàng)研究，并于2008年發(fā)表了《頻率控制器件的比較分析》。這項(xiàng)比較研究是對(duì)早期基準(zhǔn)分析的更新和擴(kuò)展。
2，研究的裝置和方法
本研究在相同的測(cè)試條件下對(duì)以下裝置應(yīng)用了標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)，以便對(duì)性能和能力進(jìn)行直接比較：

I MEMS I振蕩器（制造商A）

II MEMS II振蕩器（制造商B）

III 以石英晶體為諧振器的可編程M/N倍頻振蕩器（制造商C）

IV 無石英振蕩器-無任何外部諧振器的溫度補(bǔ)償L/C振蕩器（由Pletronics，股份有限公司制造，QF55系列）

V 傳統(tǒng)石英（體聲波）時(shí)鐘振蕩器（由Pletronics，股份有限公司制造的SM55系列）

所研究的所有設(shè)備都是從國(guó)家電子元件分銷商處購(gòu)買的，并且很容易在商業(yè)上獲得。
本文給出的結(jié)果基于已建立的頻率控制測(cè)量技術(shù)，該技術(shù)采用了2012年研究設(shè)備時(shí)可商購(gòu)的當(dāng)前測(cè)試技術(shù)。除非另有說明，所有試驗(yàn)均在相同條件下進(jìn)行。

Pletronics新型頻率控制技術(shù)
2，OCXO技術(shù)
Ovenized Crystal Oscillator（OCXO）恒溫晶振，通常用于高精度頻率應(yīng)用。這種方法將晶體和相關(guān)的振蕩器電路加熱到晶體的上轉(zhuǎn)折點(diǎn)。圖2顯示了OCXO應(yīng)用程序中使用的上部轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一部分。

這些振蕩器的晶體是這樣制造的，即上轉(zhuǎn)折點(diǎn)高于規(guī)定的最高溫度范圍。晶體和相關(guān)電路被加熱到并保持晶體上該點(diǎn)附近的狹窄溫度窗口，并且器件被調(diào)諧到該溫度下的頻率。

溫度穩(wěn)定的環(huán)境具有一些固有的優(yōu)點(diǎn)。這種方法極大地減少了先前所討論的溫度系數(shù)效應(yīng)。
圖#3顯示了當(dāng)EFC與TCXO類似地變化+/-4 ppm和+/-8 ppm時(shí)OCXO石英晶體振蕩器的頻率-溫度特性。數(shù)據(jù)顯示，與50-100ppb的TCXO相比，OCXO與控制電壓變化相關(guān)的穩(wěn)定性在5-10ppb的范圍內(nèi)。

Pletronics新型頻率控制技術(shù)
OCXO還有一個(gè)額外的優(yōu)點(diǎn)，即在非常窄的溫度窗口（通常為幾度或更低）上鍛煉晶體。這大大減少了激發(fā)晶體中不需要的模式的機(jī)會(huì)。這種方法的最大缺點(diǎn)是設(shè)備的尺寸和功率要求。隨著技術(shù)的進(jìn)步，這些設(shè)備的尺寸和功率要求都在不斷降低。
本申請(qǐng)說明中提供的數(shù)據(jù)取自商用現(xiàn)成產(chǎn)品。供應(yīng)商之間的確切數(shù)字會(huì)有所不同，但總體趨勢(shì)和大致幅度應(yīng)該相似。在選擇合適的設(shè)備之前，需要審查的關(guān)鍵問題是頻率穩(wěn)定性的變化，以及校準(zhǔn)和長(zhǎng)期穩(wěn)定性（老化）所需的調(diào)整。OCXO對(duì)這些效應(yīng)的敏感性只有TCXO溫補(bǔ)晶振的四分之一。在考慮產(chǎn)品的使用壽命時(shí)，應(yīng)考慮到這一點(diǎn)。
下表概述了OCXO和TCXO產(chǎn)品之間需要考慮的差異。一般來說，當(dāng)尺寸和功率對(duì)應(yīng)用至關(guān)重要時(shí)，首選TCXO。這些往往是手持或電池操作的設(shè)備。就頻率穩(wěn)定性而言，OCXO是一種更穩(wěn)健的產(chǎn)品。這種類型的產(chǎn)品往往更適合通信/網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。表A應(yīng)該有助于指導(dǎo)設(shè)計(jì)者為應(yīng)用程序選擇最合適的技術(shù)。

Description
UCG4 TCXO or VCTCXO 2 x 1.6mm 4 pad Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.0x1.6
UCG6 TCXO or VCTCXO 2 x 1.6mm 6 pad Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.0x1.6
UCF4 TCXO or VCTCXO 2.5 x 2.0mm Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.5x2.0
UHF4 TCXO 2.5 x 2.0mm CMOS Output Hermetically sealed package	CMOS	9.5 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.5x2.0
UCE4 TCXO or VCTCXO 3.2 x 2.5mm Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	3.2x2.5
UHE4 TCXO 3.2 x 2.5mm CMOS Output Hermetically sealed package	CMOS	9.5 to 40MHz	1.8V - 3.3V	3.2x2.5
UCD4 TCXO or VCTCXO Designed to meet various application needs See datasheet for available specifications and frequencies	Clipped Sine	10 to 40MHz	2.5V - 3.3V	5x3.2
UHD4 TCXO or VCTCXO Designed to meet various application needs See datasheet for available specifications and frequencies	CMOS	10 to 40MHz	2.5V - 3.3V	5x3.2