具有獨特的頻率振蕩和壓電效應的石英晶體諧振器，是比較常用的一種電子元器件，你幾乎可以在任何一種產品內部的PCB板上見到它，而且Quartz Crystal的外形多變，有金屬面SMD型，黑色陶瓷面SMD型，圓柱插件，49S插件，插件彎腳等封裝。這些不同的外形跟它們的生產方式和技術有很大的關系，晶體制造商在確認好方案后，就要開始設計了。電子零件本身就是比較復制的東西，設計一款石英晶體要考慮的很多，規格參數是重中之重，而且這些參數還很多，本文的目的就是介紹晶體設計的主要參數。
可移動性：可移動性是指晶體單元的頻率變化，從自然諧振頻率（Fr）到負載諧振頻率（FL），或從一個負載諧振頻率到另一個負載諧振頻率。參見圖C.給定晶體單元在給定負載電容值下表現出的可牽展性量是并聯電容（Co）和晶體單元的運動電容（C1）的函數。

阻抗/電抗曲線：晶體具有兩個零相位頻率，如圖D所示。兩者中的第一個或更低的是串聯諧振頻率，表示為（s）。此時，晶體在電路中呈現電阻，阻抗最小，電流最大。隨著頻率增加超過串聯諧振點，晶體在電路中看起來是電感性的。當運動電感和并聯電容的電抗抵消時，時鐘晶體處于反共振頻率，表示為（fa）。此時，阻抗最大化并且電流最小化。
場振動：有兩種基本類型的振動，周期性和隨機性。通常，場中的振動產生復雜的運動波，其可以影響石英晶體的輸出。由于振動引起的大多數故障是機械放大共振的直接結果，因為諧振區域達到更高的加速度水平，導致更高的損壞可能性。應使用原型對所有影響振動的因素進行全面評估。應考慮結構系統，部件位置，安裝和封裝以最大化穩定性。請記住，水晶的設計可以承受正常的操縱振動;增加的耐用性可能會對穩定性或老化等理想品質產生不利影響。
品質因數（Q）：晶體單元的“Q”值是單位相對質量或振蕩效率的量度。晶體單元的最大可達到的穩定性取決于“Q”值。在圖D中，串聯和并聯頻率之間的間隔稱為帶寬。帶寬越小，“Q”值越高，電抗斜率越陡。外部電路元件的電抗變化對高“Q”晶體的影響較小（“可拉性”較小），因此這種部件更穩定。

串聯與并聯：“串聯”諧振晶體適用于Oscillator反饋環路中不含無功元件的電路。“并聯”諧振晶體用于在振蕩器反饋環路中包含無功元件（通常是電容器）的電路中。這種電路取決于電抗元件和晶體的組合，以實現在特定頻率下啟動和保持振蕩所需的相移。兩個這樣的電路的基本描述如下所示。

負載電容：這是指晶體外部的電容，包含在振蕩器電路的反饋環路中。如果應用需要“并聯”諧振晶體，則必須指定負載電容的值。如果應用需要“串聯”諧振晶體，則負載電容不是一個因素，無需指定。負載電容是在PCB上的晶體端子上測量或計算的電容量。
頻率容差：頻率容差是指在特定溫度（通常為+25°C）下與標稱值的允許偏差，單位為百萬分率（PPM）。
老化：老化是指石英水晶振子單元隨時間經歷的頻率累積變化。影響老化的最常見因素包括驅動水平，內部污染，晶體表面變化，環境溫度，電線疲勞和摩擦磨損。通過適當的電路設計可以最大限度地減少所有這些問題，從而實現低工作溫度，最小驅動電平和靜態預老化。
如果可拉性是設計的一個因素，建議與我們的工程師合作;在制造期間，通過改變晶體參數可以在一定程度上控制帶寬。標準晶體的拉伸極限的近似值可以從以下公式獲得：

確切的限制還取決于晶體的Q值以及相關的雜散電容。通過改進的晶體制造和在石英晶體外部增加電容或電感，可拉性大約加倍。如果已知Co和C1，則可以使用以下公式獲得兩個電容之間的拉入ppm。

要獲得關于已知負載電容的每pF的AVERGE牽引，請使用以下公式。

等效電路：等效電路，如圖B所示，是在自然諧振頻率下工作時石英水晶諧振器單元的電氣描述。CO或并聯電容表示晶體電極的電容加上支架引線的電容。R1，C1和L1組成晶體的“運動臂”，稱為運動參數。運動電感（L1）代表晶體單元的振動質量。運動電容（C1）代表石英的彈性，電阻（R1）代表石英內發生的體積損失。

負載電容的計算：如果電路配置如圖A所示并聯版本，負載電容可通過以下公式計算：

C雜散包括晶體1和晶體2引腳上的微處理器芯片的引腳到輸入和輸出電容，以及任何寄生電容。根據經驗，可假設Cstray等于5.0pF。因此，如果CL1=CL2=50pF，則CL=30pF。
微調靈敏度：微調靈敏度是負載電容值增量變化的增量分數頻率變化的量度。修剪靈敏度（S）以PPM/pF表示，并通過以下等式計算：

其中（Ct）是Co和CL的總和

表面貼裝器件的焊料回流：SMD晶振單元的安裝通常通過焊料回流來實現，如圖E所示，通過紅外線加熱或通過氣相。下圖描繪了兩種方法中每種方法的推薦時間和溫度。

焊接特性：可以使用多種方法將ECS晶振產品焊接到PCB和基板上：
•波浪或雙波
•熱空氣或對流流動
•氣相回流
•紅外回流
•氣泡焊接浸入
•其他（激光等）

由于材料的天然特性，我們的一些石英晶體無法承受熱沖擊。極端溫度會導致從外殼內部鍍錫（Sn）到達其熔點，在石英元件上沉積焊料。這可能導致組件以較低頻率振蕩或完全失效。在其他情況下，焊接接觸會降低，導致開路。通過預熱元件和電路板，并遵循上面提到的推薦的焊接工藝時間/溫度曲線，可以避免這些問題。有用的水晶方程：

沖擊特性：雖然晶體設計用于處理正常的沖擊，但在現場可能會發生沖擊脈沖（如半正弦，方波，鋸齒和復雜組合）。由于晶體相對脆弱，因此應將它們與設備隔離，以盡量減少沖擊損壞。但是，避免過度規范，因為材料的彈性和設備提供的隔離程度可以降低沖擊的破壞性潛力。
平時經常接觸的頻率，頻率容差，負載電容，工作溫度等，也在晶體的設計范圍之內，該資料由深圳市金洛鑫電子有限公司整理，越來越多的產品工程師，為了更好的使用晶振而去了解相關的基礎知識，和技術資料等。

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設計Quartz Crystal時有哪些參數要考慮

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