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首頁進口晶振希華晶振,TXO83晶振,5032晶振,溫補晶振

希華晶振,TXO83晶振,5032晶振,溫補晶振

規格型號：44522258
頻率：6.000MHZ-45.000MHZ
尺寸：5.0*3.2*1.05mm 詳細資料請查看PDF
PDF
產品描述：廣泛的應用于北斗GPS模塊,北斗衛星導航,北斗衛星BDS,GLONASS模塊,GALILEO導航等北斗行業產品.

希華晶振,TXO83晶振,5032晶振,溫補晶振
參數:頻率范圍6.000MHZ-45.000MHZ
電源電壓: 2.8V
負載電容: 10PF
工作溫度: -30℃~+75℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±2.0ppm
消耗電流：1.5mA Max.
尺寸：小體積輕型5.0*3.2*1.05
應用：主要應用領域:集成電路，程控交換系統，無線發射基站，全球GPS定位系統，車載導航設備等領域。

SIWARD在追求永續經營的過程中，依顧客要求及期望，對全體同仁宣告，抱持品質優先的政策方向，明文訂定經營理念及品質政策，制造符合顧客要求及適用法規要求的貼片晶振產品。
產品應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛星通訊、車載系統、全球定位系統、個人電腦、無線通信及家用產品等，扮演基本信號源產生、傳遞、濾波等功能。持續致力于晶振技術研究開發及品質落實扎根，營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務予世界電子大廠。

希華晶振,TXO83晶振,5032晶振,溫補晶振，是臺灣進口的一款5032mm貼片型有源石英晶振，產品本身具有溫補補償功能，有體積小，重量輕，質量好等多種優勢，采用編帶方式的外包裝可適應晶振貼片機的高效自動貼裝，符合歐盟的ROHS規定，所以TXO83晶振也是一款環保晶振，可滿足無鉛焊接高溫回流溫度曲線特性。

希華晶振型號/輸出類型	TXO83晶振,TCXO溫補振蕩器
晶振類型	TCXO振蕩器
消耗電流	1.5mA Max.
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	2.8V
頻率范圍	6.000MHZ-45.000MHZ
頻率穩定度	±2.5ppm
工作溫度	-30~+75℃
保存溫度	-40~+85℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max.
相位抖動（12千赫?20兆赫）	1個PS最大。
老化率	±3 ppm /年最大。

機械振動的影響
當晶體產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管石英晶體產品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于SMD貼片器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶體產品時，會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD產品。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD產品使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接，請聯系我們以獲取耐高溫晶振的相關信息。

1.驅動能力
驅動能力說明諧振晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過石英晶體振蕩器單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。