晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣鴻星晶體 HOSONIC
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
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臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
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臺灣亞陶晶體 百利通亞陶
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臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
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瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振
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富士晶振 日本富士貼片晶振
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振
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SMI晶振 日本SMI貼片晶振
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振
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NKG晶振 NKG石英晶振
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NJR晶振 日本NJR晶振
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Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
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Statek晶振 Statek貼片晶體
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Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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日蝕晶振 Ecliptek Crystal
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IDT晶振 IDT進口晶振
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
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瑞康晶振 Rakon石英晶體
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
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ECS晶振 ECS CRYSTAL
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Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
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CTS晶振 西迪斯晶振
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
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微晶晶振 Microcrystal Crystal
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AEK晶振 AEK CRYSTAL
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AEL晶振 AEL CRYSTAL
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Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
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Crystek晶振 Crystek石英晶振
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Fox晶振 Fox有源晶振
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
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KVG晶振 KVG石英晶體
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ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
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QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
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Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
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Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
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Transko晶振 Transko crystal
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Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
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Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL
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ACT晶振 ACT石英晶振
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Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
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ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
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MTI-milliren晶振 MTI Crystal
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PDI晶振 PDI CRYSTAL
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IQD晶振 IQD CRYSTAL
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Silicon晶振 Silicon Crystal
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安德森晶振 Anderson Crystal
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富通晶振 Fortiming Crystal
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CORE晶振 CORE CRYSTAL
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
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NIC晶振 NIC Crystal
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QVS晶振 QVS CRYSTAL
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Bomar晶振 Bomar Crystal
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Bliley晶振 Bliley Crystal
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GED晶振 GED CRYSTAL
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FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
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Standard晶振 Standard Crystal
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Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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NEL晶振 美國NEL晶振
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EM晶振 EM CRYSTAL
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PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
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FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
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HEC晶振 HEC CRYSTAL
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FMI晶振 FMI CRYSTAL
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
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AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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有源晶振 Oscillator
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號:12462201
- 頻率:4.000MHZ-40.000MHZ
- 尺寸:8.0*4.5*1.8
- 產品描述:廣泛應用于可穿戴醫療儀器,LoRa無線模塊,電子測量儀,網絡設備,LED燈模塊,汽車電子控制系統等產品。
NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產晶振


NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產晶振
參數:頻率范圍4.000MHZ-40.000MHZ
激勵電平: 50μW (Max. 500μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 +/-30ppm
等效串聯電阻:Refer to*1
尺寸:中小型8.0*4.5*1.8mm
應用:智能高端汽車,柴油機,AMD處理器,家庭醫療設備,工廠機械設備,儀器儀表等產品。
本集團所處于的事業環境是智能手機市場的擴大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化,使得TCXO(溫補晶振)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加。
為對應通信方式的多樣化和新的頻率使用,SAW聲表濾波器 (彈性表面波) 器件的需求也呈擴大的趨勢。在SAW器件在移動體通信市場的正式量產展開的同時,我們會活用以往在車載市場和客戶間建立起來的信賴關系和經驗,讓這個產品也進入車載市場。
NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產晶振,8.0*4.5*1.8mm體積的陶瓷貼片諧振器在如今日益追求縮小化的晶振行業里算得上是中等偏大型的進口貼片晶振,雖然表面是陶瓷面封裝,但是NX8045GB晶振的抗摔性也不容小覷,可以試著將它放置離地面一米的高處任由貼片陶瓷貼片晶振隨意跌落,因此這款晶振特別適合用在車載電子產品中,可發揮其優良的耐沖擊性能。
NDK晶振型號 | NX8045GB晶振,陶瓷振動子 |
頻率范圍 | 4.000MHZ~40.000MHZ |
頻率公差(25℃) | ±30 ppm的,可指定 |
頻率穩定度超過工作溫度范圍 | ±50 ppm的,可指定 |
操作溫度范圍 | -40-+ 85℃,可指定 |
并聯電容CO | 5pF Max. |
驅動電平 | 1-500μW(μW500典型) |
負載電容 | 8 pF,可指定 |
老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
存儲溫度范圍 | -40-+125℃ |

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1:機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
2:PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于SMD晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
3:自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞貼片陶瓷諧振器特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保晶體產品未撞擊機器或其他電路板等。

1. 驅動能力
驅動能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加無源晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。


代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
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