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晶振系列

首頁進口晶振臺灣鴻星晶體臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振

    臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振

  • 規格型號：56088802
  • 頻率：16MHz
  • 尺寸：2016
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  • 產品描述：臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振,臺灣鴻星晶振公司,特點:非常緊湊，非常薄(最大2.0*1.6*0.5mm)，頻率范圍為16至62.5M，非常適合設計空間有限的智能手機應用，小型化無線模塊設備，RFID應用和...

臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振,臺灣鴻星晶振公司,特點:非常緊湊，非常薄(最大2.0 *1.6*0.5mm)，頻率范圍為16至62.5M，非常適合設計空間有限的智能手機應用，小型化無線模塊設備，RFID應用和其他消費類產品。滿足使用無鉛焊料的回流剖面要求。無源晶振，貼片晶振，小尺寸晶振，2016晶振，環保無鉛晶振，高精度晶振，無人機高清攝像模塊晶振，北斗衛星定位模塊晶振。

臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振
項目   標志 E1SB
頻率范圍   F0   16 to 18.999MHz 19 to 24.999MHz      25 to 29.999MHz     30 to 62.500MHz
工作模式   Fundamental
負載電容   CL 8  to 16pF
頻率容差 ΔF/ F0 ±10ppm, ±15ppm, ±30ppm(At 25℃)
等效串聯電阻 ESR    200Ω max. 100Ω max. 80Ω max. 60Ω max.
溫度穩定度 TC ±10ppm, ±15ppm, ±30ppm(Refer to 25℃)
工作溫度范圍 TOPR -20~+70℃,-30~+85℃ Option
儲存溫度范圍 TSTG -55~+125℃
分流電容 C0 3pF max.
絕緣電阻 IR 500MΩ min. (At 100VDC)
驅動電平 DL 50μW(100μW max.)
老化 Fa ±2ppm max. (At 25℃,First year)
包裝單位   3000pcs/reel




臺產鴻星晶振,E1SB16E000004E晶振,遙遙領先的6G路由器晶振
鴻星原廠編碼 生產商品牌 型號 頻率 頻率穩定度 頻率容差 負載電荷 工作溫度
E1SB24E00001EE Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -40°C ~ 85°C
E1SB26E007902E Hosonic晶振 E1SB 26 MHz ±15ppm ±10ppm 9pF -40°C ~ 85°C
E1SB60E003701E Hosonic晶振 E1SB 60 MHz ±20ppm ±10ppm 9pF -30°C ~ 105°C
E1SB55E0X0002E Hosonic晶振 E1SB 55.2 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C
E1SB24E000007E Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C
E1SB25E000009E Hosonic晶振 E1SB 25 MHz ±30ppm ±30ppm 6pF -30°C ~ 85°C
E1SB24E004000E Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 18pF -30°C ~ 85°C
E1SB38E0X0001E Hosonic晶振 E1SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C
E1SB39E000000E Hosonic晶振 E1SB 39 MHz ±13ppm ±8ppm 10pF -40°C ~ 90°C
E1SB40E00090AECBB8 Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±20ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 105°C
E1SB48E000506E Hosonic晶振 E1SB 48 MHz ±16ppm ±8ppm 11.1pF -40°C ~ 105°C
E1SB25E001000E Hosonic晶振 E1SB 25 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF -20°C ~ 70°C
E1SB32E007900E Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E1SB32E001502E Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±20ppm ±10ppm 12pF -40°C ~ 105°C
E1SB37E0X0002E Hosonic晶振 E1SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 16pF -30°C ~ 85°C
E1SB32E001501ECBB8 Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E1SB16E000004E Hosonic晶振 E1SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C
E1SB40E001202E Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±17ppm ±10ppm 8pF -40°C ~ 105°C
E1SB16E000005E Hosonic晶振 E1SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C
E1SB16E000008E Hosonic晶振 E1SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -20°C ~ 70°C
E1SB24E00000EE Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±20ppm ±30ppm 20pF -20°C ~ 70°C
E1SB24E00000PE  Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±30ppm ±30ppm 16pF -20°C ~ 70°C
E1SB24E000009E  Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -20°C ~ 70°C
E1SB24E000011E  Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF  -30°C ~ 85°C
E1SB24E000012E  Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E1SB24E000901E  Hosonic晶振 E1SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E1SB25E00000NE  Hosonic晶振 E1SB 25 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -20°C ~ 70°C
E1SB26E000006E  Hosonic晶振 E1SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 16pF  -30°C ~ 85°C
E1SB27E00000FE  Hosonic晶振 E1SB 27 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -20°C ~ 70°C
E1SB32E00000AE  Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±10ppm ±15ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E1SB32E000016E  Hosonic晶振 E1SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E1SB37E0X0009E  Hosonic晶振 E1SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E1SB38E0X000EE  Hosonic晶振 E1SB 38.4 MHz ±8ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E1SB38E0X0001E  Hosonic晶振 E1SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E1SB40E000000E  Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF  -30°C ~ 85°C
E1SB40E00000AE  Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E1SB40E00000CE  Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -20°C ~ 85°C
E1SB40E00001AE  Hosonic晶振 E1SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E1SB48E000006E  Hosonic晶振 E1SB 48 MHz ±8ppm ±10ppm 7pF  -30°C ~ 85°C
E1SB48E000008E  Hosonic晶振 E1SB 48 MHz ±8ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E1SB50E000000E  Hosonic晶振 E1SB 50 MHz ±10ppm ±15ppm 7pF  -30°C ~ 85°C
E1SB50E00000DE  Hosonic晶振 E1SB 50 MHz ±10ppm ±10ppm 15pF  -30°C ~ 85°C

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