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晶振系列

首頁歐美晶振Abracon晶振Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振,AB26T-32.768KHZ

    Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振,AB26T-32.768KHZ

  • 規格型號:61490789
  • 頻率:30KHz~200KHz
  • 尺寸:6.2*2.1mm
  • PDF
  • 產品描述:因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.“AB26T-32.768KHZ”主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

“AB26T-32.768KHZ”Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振

頻率范圍:30KHz~200KHz
激勵電平: 1μW (Max. 1μW )
負載電容: 12.5PF
工作溫度: -10℃~+60℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度:±20ppm/
±30ppm
捆包單位:1000pcs/reel
尺寸:6.2*2.1mm
應用:實時時鐘,測量儀器,通信電子,辦公自動化設備、民用級電子、空調、洗衣機、微波爐、智能手表、電子體重稱、智能體溫計、智能血壓計


  Abracon LLC(Abracon),全球領先的制造商被動&機電時間同步,權力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強調產品適合使用者應用程序如機頂盒,
“AB26T-32.768KHZ”虛擬現實,便攜式音頻、視頻/電話會議,耐磨,物聯網,無人機,相機/攝像機、顯示器和高保真音頻以及專業應用,如音頻混合器,唱片的質量接收器,廣播工作室相機等設備,路由器和轉換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。Abracon晶振的Pierce分析儀系統(PAS)由我們的工程師設計,可幫助您為行業領先的設計做出正確的選擇。

  Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振.“AB26T-32.768KHZ”插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境條件下,晶振也能正常工作,具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能.
  Abracon石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使壓電石英晶體的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振

 Abracon晶振型號 AB26T晶振
頻率范圍 30KHz~200KHz
頻率公差(25℃) ±20ppm,±30ppm可指定
頻率穩定度超過工作溫度范圍 ±30ppm, 可指定
操作溫度范圍  -10℃~+60℃,可指定
并聯電容CO 5pF Max.
驅動電平 1.0μW (Max.1.0μW )
負載電容 12.5pF可指定
老化(25℃) ±3ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40℃~+85℃



超聲波清洗
  (1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。
  (2)使用時鐘晶振和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
  (3)請勿清洗開啟式產品
  (4)對于可清洗產品,應避免使用可能對石英晶體諧振器產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
  (5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
  請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Abracon晶振,石英晶振,AB26T晶振,圓柱石英晶振
使用環境(溫度和濕度)
  請在規定的溫度范圍內使用無源晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。

1.驅動能力
驅動能力說明32.768K晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補償
除非在
電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加高精度時鐘晶振啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極。
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果
電路中負載電容的不同,可能導致32.768K插件晶振頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考.png
振蕩回路參數設置參考

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