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晶振系列

首頁歐美晶振Abracon晶振Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體

    Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體

  • 規格型號:120752
  • 頻率:1.8432MHz~160.000MHz
  • 尺寸:11.5*5.0*13.46mm
  • PDF
  • 產品描述:插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分.

Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體
頻率范圍:1.8432MHz~160.000MHz
負載電容: 18pF
串聯電阻: Refer to*1
工作溫度: -0 ~ + 70 ℃
保存溫度: -55~ +125 ℃
精度 +/-50PPM

激勵電平: 100μW (Max.1000μW)
尺寸:11.5*5.0*13.46mm
應用:CPU,內存卡,電腦打印機,數據通信,數據輸入, 輸出機等用途

  Abracon提供了廣泛的石英定時晶體和振蕩器,MEMS振蕩器,實時時鐘(RTC),藍牙模塊,陶瓷諧振器,鋸濾器和諧振器,功率和射頻電感,變壓器,電路保護元件和射頻天線和無線充電線圈。作為一個解決方案供應商,Abracon晶振的廣泛的產品線地址信號路徑,數據路徑和電源需求在最苛刻的應用。ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標準尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅動的理想選擇通訊,射頻,無線回程,和儀器應用。

  Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻.常用負載電容,49/U石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
  Abracon石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。

Abracon晶振晶振型號 AB晶振
頻率范圍 1.8432MHz~160.000MHz
頻率公差(25℃) ±50ppm的,可指定
頻率穩定度超過工作溫度范圍 ±100ppm的,可指定
操作溫度范圍 -0~+70℃,可指定
激勵電平 10μW (Max.200μW)
驅動電平 100~1000μW(μW100典型)
負載電容 18pF,可指定
老化(25℃) ±5ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -55~+125℃



抗沖擊
  貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果進口貼片晶振已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑/pH值環境
  請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
  請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
  過高的靜電可能會損壞石英晶體,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

1、振蕩電路
  插件石英晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
  配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
  晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
  在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
  組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
  使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
  當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,49U插件晶振也不會啟動振蕩。
  除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
  晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
  振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
  限制流入插件石英晶體的電流,調節負電阻和勵磁。
  電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
  C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
  適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
  電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
  安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

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